移動電(diànπ♠)話(huà)、相(xiàng)機(jī)、筆(bǐ)記本電(diàn)腦λλ≠(nǎo)的(de)磁盤驅動器(qì)以及便攜式音(yīn)₹₩頻(pín)播放(fàng)器(qì)隻是(shì)γπ£φ少(shǎo)數(shù)還(hái)在使用(yδ∏òng)的(de)傳統電(diàn)子(zǐ)元件(jiàn)，現(÷'xiàn)在需要(yào)更多(duō)的(de)←♣♦是(shì)功率電(diàn)感器(qì)。将日(rì)益複雜(zá)的↔​>‍(de)電(diàn)路(lù)整合到(dào)更加狹小(xiǎo♥$β)的(de)電(diàn)路(lù)闆空(kōng)間(j £₹iān)中的(de)巨大(dà)的(de)市(shì)場(c←<☆₹hǎng)壓力導緻了(le)性能(néngβ©✘₹)更佳的(de)、極具競争力的(de)、更為(wèi)精巧的‍✘∑(de)終端元件(jiàn)的(de)需求增大(d≥↕γà)。電(diàn)路(lù)闆上(shàng)的(de)大(dàα₽ )功率轉化(huà)終端元件(jiàn)的(de)廣泛應用(yòng)也(yě™')導緻了(le)高(gāo)效率直流轉換器(qì)和(hé)更精細電(d↕δiàn)感器(qì)需求的(de)增加。為(wèi)了(le)☆"×π适應這(zhè)一(yī)挑戰，元件(jiàn)制(zhì)造商都(dōu)♣₩​花(huā)重金(jīn)在材料與制(zhì)作(zuò)上(shàng)<σ✘發展、生(shēng)産和(hé)改善繞線和(hé)σ↕π 多(duō)層片式電(diàn)感器(qì≤§)，用(yòng)具有(yǒu)相(xià∏&'‍ng)等或更好(hǎo)的(de)性能(néng)的(de)但(dàn)α★↑ 也(yě)更加精細的(de)設計(jì)來ε γ™(lái)迎合市(shì)場(chǎng)的(de)需要λ♥ (yào)。

1、精細功率電(diàn)感器(qì)

   　在便攜式電(d&♣iàn)子(zǐ)産品的(de)電(diàn)源供應←∞$γ器(qì)設計(jì)當中，面臨的(de)較大♠$♦>(dà)挑戰是(shì)，既要(yào)提高(gāo)電(diàn)☆ 源供應器(qì)的(de)工(gōng)作(®☆←zuò)效率還(hái)要(yào)減小(xiǎo)它的(d✘♥¥©e)尺寸，也(yě)就(jiù)是(shì)說(shuō)要​♣♦(yào)設計(jì)在電(diàn)力供應設計(jì)中較好(hǎo)£&>↔使用(yòng)較小(xiǎo)的(de)電(diàn)感器(qì)。∏​λπ解決此難題的(de)辦法之一(yī)是(shì)，提高('↓‍gāo)dc/dc轉換器(qì)的(de)開(kāi)關頻(pín)率，這(z≥•©hè)是(shì)影(yǐng)響低(dī)電(dià☆α∏♣n)感和(hé)小(xiǎo)尺寸元件(jiàn)的(de)關鍵∏↔£&。由負荷波動引起的(de)瞬态響應較低(dī)的♣☆ ±(de)電(diàn)感值是(shì)抵消了(le)更好(hǎo)的(€¥de)。在這(zhè)種情況下(xià)，伴随著(zhe)負載波動所×≈引起的(de)更快(kuài)的(de)瞬态響應， ₹→低(dī)電(diàn)感值因高(gāo)頻(pín)率γ×∞'而偏移。

　　但(dàn)是(shì)，有(yǒu)€✘↔®得(de)必有(yǒu)失，提高(gāo)開(kāi)關​•α頻(pín)率的(de)同時(shí)也(yě)增加了 γ>δ(le)開(kāi)關損耗，這(zhè)δ​同樣會(huì)導緻工(gōng)作(zu ≠ "ò)效率的(de)降低(dī)。由于其他(tā)重要(yào)電(diàn)路÷÷(lù)設計(jì)之間(jiān)相(xiàng)互作✔¥♥π(zuò)用(yòng)會(huì)影(yǐng)響器(q←γ< ì)件(jiàn)性能(néng)這(zhΩ←±↔è)一(yī)特點，所以僅僅靠增加開(kāi)關頻(pín)率并非易事±±$'(shì)。近(jìn)期，開(kāi)™₩關頻(pín)率一(yī)直保持在500khz左右而電(d≠ iàn)感在4.7～10μh，這(zhè)些(xiē)因素包括提供更好‍≥★Ω(hǎo)的(de)電(diàn)路(lù)設計(jì)，改進材料，完‌€善制(zhì)造技(jì)術(shù)，都(dōu)能(né Ωng)讓開(kāi)關頻(pín)率保持在1mhz以下(xià↑→→)。然而，內(nèi)部電(diàn)路(lù)的≠>♥(de)進一(yī)步細化(huà)使得(de)開(kāi)¥φ↔"關頻(pín)率已經高(gāo)達3mhz，但(​λ±dàn)同時(shí)電(diàn)感值也(yě)低($α∑dī)于了(le)2.0h。據推算(suàn)，6～8mhz的(de)開(k↕©☆āi)關頻(pín)率以及低(dī)于1h的(de§≥↔ε)電(diàn)感值并不(bù)常見(jiàn)，這(zhè)就(jiù π$)導緻了(le)電(diàn)感器(qì)小(xiǎo)型化(hu&®à)的(de)戲劇(jù)性。

2、較高(gāo)的(de)開(kāi)關頻(pín)率
　　1-a級電(diàn)感器(qì)的(de)發展趨勢是(s®♥hì)小(xiǎo)包裝，低(dī)電(diàn)感和(hé)更快(k± &uài)的(de)開(kāi)關頻(pín)率。例如"₹★λ(rú)擁有(yǒu)300khz開(kāi)關頻(pín)率但(dàn)面 ♠積隻有(yǒu)16或36mm2的(de)電(&‍diàn)感器(qì)将被廣泛使用(yòng)。使用("♥yòng)一(yī)個(gè)9mm2大(d§$←"à)小(xiǎo)的(de)電(diàn)感器(qì)能(néng)将開(kā×♥♠≥i)關頻(pín)率提高(gāo)為(wèi)1.5m€↔×♠hz，這(zhè)表明(míng)在增加開(kāi)關✘≥β​頻(pín)率的(de)同時(shí)也(yě)在相(xiàng)應地$↑(dì)減小(xiǎo)尺寸。未來(lái)要(yào)提供更γ✘α≠精細電(diàn)感器(qì)的(de)關鍵在于部件Ω&$(jiàn)制(zhì)造商是(shì)否有(yǒu)能(néng)力通(tō♥¥♥ng)過在電(diàn)路(lù)設計(jì∑≠♣€)、材料和(hé)制(zhì)造等方面的(de)不(bù)斷進步來(láα 'i)降低(dī)電(diàn)感和(hé)提高(gāo)開(k✘≤±δāi)關頻(pín)率。
　　手機(jī)用(yòng)電(diàn)感器(qì "σ)技(jì)術(shù)的(de)進步已經在包裝厚度上(shàng)顯現(xφσ×iàn)了(le)出來(lái)，例如(rú)，從(cóng)兩₩☆ 三年(nián)前2mm到(dào)現(xiàn)在的(de)1mm。©←該技(jì)術(shù)的(de)顯著改善讓靠超薄元件(jiàn)支持器 §‍•(qì)件(jiàn)的(de)微(wēi)型化(huà)γ≤♣趨勢持續吸引著(zhe)全球電(diàn)子(zǐ)産品消 '←Ω費(fèi)市(shì)場(chǎng)。即便如(rú)此，單純靠使✔↓用(yòng)較小(xiǎo)的(de)電≤£(diàn)感器(qì)也(yě)不(bù)是(shì)一(yī)個(gφ§è)完善的(de)解決方案。

3、繞線改善
　　規模較小(xiǎo)的(de)便攜式設備需要(yào)更緊湊的(φ☆↓de)更高(gāo)效率的(de)dc/dc♣✘£轉換器(qì)，靠這(zhè)些(xiē)補充設備的(de$Ω♥)強大(dà)功能(néng)來(lái)較大(dà)限度的(de)$$完善電(diàn)池能(néng)量。盡管大(dà)© 的(de)元件(jiàn)難以同時(shí)縮減電(diàn)感尺寸和(hé≥αε×)保持較低(dī)阻抗，廠(chǎng)商們依然在通(tōng)過更好(h​¥‍ǎo)的(de)設計(jì)，改進材料科(kē)>‌學，提高(gāo)制(zhì)造技(jì)術(shù)來≥ε¶(lái)減少(shǎo)電(diàn)感器(qì)尺寸。